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半分橋整流器ダイオードの運転者、橋整流器回路IRS2109

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シティ:shenzhen
省/州:guangdong
国/地域:china
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半分橋整流器ダイオードの運転者、橋整流器回路IRS2109

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型式番号 :IRS2109
原産地 :日本
最低順序量 :20 pcs
支払の言葉 :T ・ T、ウェスタンユニオン、Paypal
供給の能力 :5200PCS
受渡し時間 :1 日
包装の細部 :細部については私に連絡して下さい
絶対電圧を浮かべる高側 :-0.3 625
高側の浮動の供給のオフセットの電圧 :VB - 25 VB + 0.3
高側の浮動の出力電圧 :- 0.3対VB + 0.3
低側および論理の固定供給電圧 :-0.3 25
低側の出力電圧 :-0.3 VCC + 0.3
プログラム可能なdeadtimeおよび操業停止ピン電圧 :VSS - 0.3 VCC + 0.3
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IRS21091 PbF

HALF-BRIDGEの運転者

 

特徴

 

 ·ブートストラップ操作のために設計されている浮遊チャネル 半分橋整流器ダイオードの運転者、橋整流器回路IRS2109

·+600ボルトに完全に機能した

·否定的で一時的な電圧、免疫があるdV/dtに耐久性がある

·10ボルトからの20ボルトへのゲート ドライブ供給の範囲

·両方のチャネルのための不足電圧閉鎖

·3.3互換性があるV、5ボルトおよび15ボルトの入力論理

·交差伝導の防止の論理

·両方のチャネルのための一致させた伝搬遅延

·入力のとの段階に出力される高側

·論理および力は+/- 5ボルトのオフセットをひきました

·内部500 nsのdeadtime、

そして1つの外的なRDTの抵抗器を搭載するプログラム可能な5つまでのµs

·よりよいノイズ耐性のためのdi/dtのゲートの運転者を下げて下さい

·二重機能DT/SD入力は両方のチャネルを消します

·迎合的なRoHS

 

 

 

 

 

記述

 

   IRS21091は依存した高および低側の参照された出力チャネルが付いている高圧の、高速力MOSFETおよびIGBTの運転者です。専有HVICおよび掛け金免疫CMOSの技術は高耐久化された単一構造を可能にします。論理の入力は3.3ボルトの論理に標準的なCMOSまたはLSTTLの出力と互換性があります。出力運転者は最低の運転者の交差伝導のために設計されている高い脈拍の現在の緩衝段階を特色にします。浮遊チャネルが600までV.作動させる高側の構成のNチャネル力MOSFETかIGBTを運転するのに使用することができます。

 

 

典型的な関係

 

半分橋整流器ダイオードの運転者、橋整流器回路IRS2109

 

 

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