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特徴
•1.65ボルトからの5.5ボルトへの広い供給電圧の範囲
•5ボルトの論理とのインターフェイスのための5ボルトの耐久性がある入出力
•高いノイズ耐性
•ESDの保護:
– HBM EIA/JESD22-A114-Bは2000ボルトを超過します
– MM EIA/JESD22-A115-Aは200 V.を超過します。
•±24 mAの出力ドライブ（VCC = 3.0 V）
•CMOSの低い電力の消費
•掛け金の性能は250 mAを超過します
•多数のパッケージの選択
•−40 °Cから+85 °Cおよび−40 °C +125 °C.にに指定される。
記述
74LVC2GU04は高性能、ローパワー、最先端のCMOS互換性があるTTL家族より優秀なSiゲートCMOS装置低電圧です。
入力は3.3ボルトか5つのV形章から運転することができます。これらの特徴は混合された3.3 Vおよび5ボルトの環境のこれらの装置の使用を可能にします。
74LVC2GU04は2つのインバーターを提供します。各インバーターはunbuffered出力が付いている単段です。
| 記号 | 変数 | 条件 | 典型的 | 単位 |
| tPHL/tPLH |
伝搬遅延 nYを出力する入力nA |
VCCの= 1.8ボルト;CL = 30 pF;RL =1kΩ | 2.3 | ns |
| VCCの= 2.5ボルト;CL = 30 pF;RL = 500 Ω | 1.8 | ns | ||
| VCCの= 2.7ボルト;CL = 50 pF;RL = 500 Ω | 2.6 | ns | ||
| VCCの= 3.3ボルト;CL = 50 pF;RL = 500 Ω | 2.3 | ns | ||
| CI | 入力キャパシタンス | 5 | pF | |
| CPD | ゲートごとの電力損失キャパシタンス | VCCの= 3.3ボルト;ノート1および2 | pF |
