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細胞バンド RF 線形アンプの電子工学は 47 dBm MHL9236 を分けます
細胞周波数帯域で作動する 50 オーム システムの超線形アンプの塗布のために設計されている。 ケイ素 FET のクラス A の設計は顕著な直線性および利益を提供します。 さらに、優秀なグループ遅延および段階の直線性の特徴は TDMA、CDMA または QPSK のような最もデマンドが高いアナログかデジタル調節システムにとって理想的、です
• 第三次の妨害: 47 dBm Typ
• 力の利益: 30.5 dB Typ (@ f = 880 の MHz)
• 優秀な段階の直線性およびグループ遅延の特徴
• 正方向送りの基地局の塗布のための理想
• TDMA、CDMA、QPSK またはアナログ・システムの使用のため
評価 | 記号 | 価値 | 単位 |
DC の供給電圧 | VDD | 30 | Vdc |
RF の入力パワー | P | +10 | dBm |
保管温度の範囲 | T のstg | – 40 から +100 | °C |
作動の場合の温度較差 | TC | – 20 から +100 | °C |
独特 | 記号 | 分 | Typ | 最高 | 単位 |
供給の流れ | IDD | — | 550 | 620 | mA |
力の利益(f = 880 の MHz) | Gp | 29.5 | 30.5 | 31.5 | dB |
利益平坦(f = 800-960 の MHz) | GF | — | 0.1 | 0.3 | dB |
出力@ 1 つの dB Comp. (f = 880 の MHz) | ふくれっ面 1 dB | 33.0 | 34.0 | — | dBm |
入力 VSWR (f = 800-960 の MHz) | VSWRin | — | 1.2:1 | 1.5:1 | |
出力 VSWR (f = 800-960 の MHz) | VSWR | — | 1.2:1 | 1.5:1 | |
第三次の妨害(f1 = 879 の MHz、F2 = 884 の MHz) | ITO | 46.0 | 47.0 | — | dBm |
雑音指数(f = 800-960 の MHz) | NF | — | 3.5 | 4.5 | dBm |