DS1230Y-150+ 256k 不揮発性 SRAM SS は RAM モジュール IC を取り替えます

DS1230Y-150 + 256k不揮発性SRAM SSがRAMモジュールICを置き換えます

特徴

外部電源がない場合の最低10年間のデータ保持

データは電力損失時に自動的に保護されます

32k×8の揮発性スタティックRAM、EEPROMまたはフラッシュメモリを置き換えます

無制限の書き込みサイクル

低消費電力CMOS

70nsの高速読み書きアクセス時間

最初に電力が供給されるまで、リチウムエネルギー源は電気的に切断されて新鮮さを保持する

フル±10％VCC動作範囲（DS1230Y）

オプションの±5％VCC動作範囲（DS1230AB）

オプションの産業用温度範囲：-40℃〜+ 85℃、IND

JEDEC標準28ピンDIPパッケージ

新しいPowerCapモジュール（PCM）パッケージ

- 直接表面実装可能なモジュール

- 交換可能なスナップ

PowerCapでリチウムバックアップバッテリを提供

- すべての不揮発性SRAM製品の標準ピン配列

- PowerCapの取り外し機能により、通常のドライバーで簡単に取り外すことができます

ピンの説明

A0 - A14 - アドレス入力

DQ0 - DQ7 - データ入力/データ出力

CE - チップイネーブル

WE - ライトイネーブル

OE - 出力イネーブル

VCC - 電力（+ 5V）

GND - グラウンド

NC - 接続なし

DESCRIPTION

DS1230 256k不揮発性SRAMは、32768ワード×8ビット構成の262,144ビットの完全静的不揮発性SRAMです。

各NV SRAMは自己完結型のリチウム・エネルギー・ソースと制御回路を備えており、許容範囲外の状態でVCCを絶えず監視しています。

このような状態が発生すると、自動的にリチウムエネルギー源がオンになり、書き込み保護が無条件で有効になり、データ破壊を防止します。

DIPパッケージDS1230デバイスは、一般的な28ピンDIP規格に準拠した既存の32k x 8スタティックRAMの代わりに使用できます。

DIPデバイスは、28256 EEPROMのピン配置にもマッチし、パフォーマンスを向上させながら直接置換が可能です。 ロープロファイルモジュールパッケージのDS1230デバイスは、表面実装アプリケーション専用に設計されています。

実行可能な書き込みサイクルの数に制限はなく、マイクロプロセッサーのインタフェースに追加のサポート回路は必要ありません。

READ MODE

DS1230デバイスは、WE（ライトイネーブル）が非アクティブ（ハイ）で、CE（チップイネーブル）およびOE（出力イネーブル）がアクティブ（ロー）のときは常にリードサイクルを実行します。

15個のアドレス入力（A0〜A14）によって指定された一意のアドレスは、32,768バイトのデータのどれをアクセスするかを定義します。 CEおよびOE（Output Enable）のアクセス時間も満たされている場合、最後のアドレス入力信号が安定した後、tACC（アクセス時間）以内に8つのデータ出力ドライバで有効なデータを使用できます。

OEとCEのアクセス時間が満たされない場合、データアクセスは後続の信号（CEまたはOE）から測定されなければならず、制限パラメータはアドレスアクセスではなくOEのCEまたはtOEのいずれかです。

書き込みモード

DS1230デバイスは、アドレス入力が安定した後、WEおよびCE信号がアクティブ（ロー）になるたびにライトサイクルを実行します。 後で発生するCEまたはWEの立ち下がりエッジによって、ライトサイクルの開始が決定されます。

書き込みサイクルはCEまたはWEの早い立ち上がりエッジで終了します。 すべてのアドレス入力は、書込みサイクル中有効でなければなりません。

他のサイクルが開始される前に、最小復帰時間（tWR）の間、WEをハイ状態に戻さなければなりません。 OE制御信号は、バスの競合を避けるために書込みサイクル中に非アクティブ（ハイ）に保たれるべきである。

ただし、出力ドライバがイネーブルされている場合（CEおよびOEがアクティブな場合）、WEはtODWの出力をその立ち下がりエッジからディセーブルします。