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10 年
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短絡力 電界効果トランジスタ のトランジスター Autoprotected VND3NV0413TR
特徴
| タイプ | RDS （） | Ilim | Vclamp |
|
VNN3NV04 VNS3NV04 VND3NV04 VND3NV04-1 |
120 mΩ | 3.5 A | 40 ボルト |
■の線形現在の限定
■の上昇温暖気流の操業停止
■の短絡の保護
■の統合されたクランプ
入力ピンから引かれる低の■の流れ
入力ピンを通る■の診断フィードバック
■ ESD の保護
力 電界効果トランジスタ （アナログの運転）のゲートへの■の直接アクセス
2002/95/E。-ヨーロッパの指令に従って標準的な力 電界効果トランジスタ と互換性がある■
記述
VNN3NV04、VNS3NV04、VND3NV04 VND3NV04-1 は、50 の kHz の適用まで DC からの標準的な力の MOSFETs の取り替えのために意図されている STMicroelectronics VIPower M0-3 の技術で設計されている単一装置です。 熱操業停止で造られて、線形現在の限定および過電圧クランプは粗い環境の破片を保護します。
欠陥のフィードバックは入力ピンの電圧の監視によって検出することができます。
装置概要
| パッケージ | オーダー コード | |||
| 管 | 管（無鉛） | テープおよび巻き枠 | 録音し、巻き取って下さい（無鉛） | |
| SOT-223 | VNN3NV04 | - | VNN3NV0413TR | - |
| SO-8 | VNS3NV04 | - | VNS3NV0413TR | - |
| TO-252 | VND3NV04 | VND3NV04-E | VND3NV0413TR | VND3NV04TR-E |
ブロック ダイヤグラムおよびピン記述