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線形力 電界効果トランジスタ のトランジスター 2N5458 JFETs はテレビ IC の破片を導きました
JFETs の−の一般目的の N−Channel の−の枯渇
N−Channel の接合型電界効果トランジスタ、枯渇モード（タイプ A）は音声および切換えの塗布のために設計しました。
特徴
• 高利得のための N−Channel
• 交換可能な下水管および源
• 高い AC 入力インピーダンス
• 高い DC 入力の抵抗
• 低い移動および入れられたキャパシタンス
• 低い Cross−Modulation および混変調ひずみ
• Unibloc のプラスチックによって内部に閉じ込められるパッケージ • Pb−Free のパッケージは Available* です
| 評価 | 記号 | 価値 | 単位 |
| Drain−Source の電圧 | VDS | 25 | Vdc |
| Drain−Gate の電圧 | VDG | 25 | Vdc |
| Gate−Source の逆の電圧 | VGSR | −25 | Vdc |
| ゲートの流れ | IG | 10 | mAdc |
| 総装置消滅は 25°C の上で@ TA = 25°C 軽減します | PD | 310 2.82 | MW mW/°C |
| 作動の接合部温度 | TJ | 135 | °C |
| 保管温度の範囲 | Tstg | +150 への−65 | °C |
最高の評価を超過する圧力は装置を損なうかもしれません。 最高の評価は圧力の評価だけです。 推薦された作動条件の上の機能操作は意味されません。 推薦された作動条件の上の圧力への延長露出は装置信頼性に影響を与えるかもしれません
発注情報
装置パッケージの船積み
2N5457 TO−92 1000 の単位/箱
2N5458 TO−92 1000 の単位/箱
2N5458G TO−92 （Pb−Free） 1000 単位/箱
