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ICの電子部品テキサス・インスツルメント/TI TMUX646ZECR
| 議定書 | MIPI |
| 構成 | 2:1 SPDT |
| チャネルの数（#） | 10 |
| 帯域幅（MHz） | 6000 |
| 供給電圧（最高の） （v） | 5.5 |
| 供給電圧（分） （v） | 1.5 |
| Ron （タイプ） （オーム） | 6 |
| 入出力電圧（分） （v） | 0 |
| 入出力電圧（最高の） （v） | 3.6 |
| 現在の供給（タイプ） （uA） | 0.1 |
| ESD HBM （タイプ） （kV） | 6 |
| 実用温度範囲（c） | -40から85 |
| 混線（dB） | -40 |
| ESD CDM （kV） | 2 |
| ICC （タイプ） （uA） | 0.1 |
| 入出力連続的な現在（最高） （mA） | 35 |
| COFF （タイプ） （pF） | 1.5 |
| 騙しなさい（タイプ） （pF） | 1.5 |
| 分離（タイプ）を離れて（dB） | -20 |
| オフ状態の漏出流れ（最高） （µA） | 0.5 |
| 伝搬遅延（ns） | 40 |
| Ron （最高） （オーム） | 10 |
| RONの平坦（タイプ） （オーム） | 0.1 |
| VIH （分） （v） | 1 |
| VIL （最高の） （v） | 0.4 |
TMUX646は最大限に活用された10チャンネルの（5差動）単一棒、高速適用の使用のための二重投球の二方向スイッチである。TMUX646は単一CSI/DSIのC-PHY/D-PHYモジュールに接続するために多数MIPI迎合的な装置を促進するように設計されている。装置はまたSATA、SAS、MIPI DSI/CSI、LVDS、RGMII、DDRおよびイーサネット インターフェイスを支える。
装置は6つのGHzの帯域幅、小さい信号の低下の低いチャネル間のゆがみ、および大差をレイアウトの損失を補う備えている。装置の低い消費電流は携帯電話および他の個人的な電子工学を含む低い電力の適用の必要性を、満たす。