Yingxinyuan国際的な(グループ)株式会社。

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MDIO SMbus I2C ICの破片8ビットTXS0108ENMERテキサス・インスツルメント

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シティ:shenzhen
国/地域:china
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MDIO SMbus I2C ICの破片8ビットTXS0108ENMERテキサス・インスツルメント

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型式番号 :TXS0108ENMER
原産地 :N/S
最低順序量 :1pcs
支払の言葉 :T/T
供給の能力 :9999999+PCS
受渡し時間 :2-7の仕事日
パッケージ :標準パッケージ(ポリ袋/カートン箱)
無鉛状態 :RoHS Complia
保証 :出荷の後の90days
材料 :黄銅
Skype :julixin002
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ICの電子部品テキサス・インスツルメント/TI TXS0108ENMER

技術家族 TXS
適用 I2C、MDIO、SMbus
ビット(#) 8
高い入力電圧(分) (Vih) 1
高い入力電圧(最高) (Vih) 5.5
Vout (分) (v) 1.4
Vout (最高の) (v) 5.5
IOH (最高) (mA) 0
IOL (最高) (mA) 0
評価 カタログ

TXS0108Eのための特徴

  • 方向制御信号は必要としなかった
  • 最高のデータ転送速度
    • 110 Mbps (プッシュ プル)
    • 1.2 Mbps (開いた下水管)
  • 1.4 Vから港の3.6ボルトおよび1.65ボルトからBの港(VCCAの≤ VCCB)の5.5ボルト
  • 必要なパワー供給の配列無し– VCCAかVCCBは最初に増やことができる
  • Latch-upの性能は100 mAを每の超過する
    JESD 78のクラスII
  • ESDの保護は超過するJESD 22 (Aの港)を
    • 2000-V人体モデル(A114-B)
    • 150-V機械モデル(A115-A)
    • 1000-V満た装置モデル(C101)
  • IEC 61000-4-2 ESD (Bの港)
    • ±8 kVの接触の排出
    • ±6 kVのエアギャップの排出

TXS0108Eのための記述

この装置は2つのseparateconfigurableパワー供給の柵を使用する8ビット非逆になる水平な訳者である。Aの港はVCCAピンsupplyvoltageを追跡する。VCCAピンは供給電圧between1.4 Vおよび3.6 V.を受け入れる。Bの港のtracksthe VCCB供給電圧をピンで止めるため。VCCBピンは1.65ボルトと5.5 V.間の電圧をanysupply受け入れる。2つの入力供給ピンは1.5 Vの何れか、1.8ボルト、2.5のVつ、3.3のVつ、そして5つのVの電圧ノード間の低電圧のbidirectionaltranslationを可能にする。

出力可能にしなさい時(OE)入力はhigh-impedance (こんにちはZ)州に低い、すべての出力置かれる。

こんにちはZ州を、タイOEにGND apull-downの抵抗器を通してパワーアップかパワー期間の間に保障するため。抵抗器の最小値は運転者の現在sourcingcapabilityによって定められる。

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