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IGBT力モジュール テキサス・インスツルメント/TI TCAN1042GDQ1
| 議定書 | 缶、缶FD |
| チャネルの数（#） | 1 |
| 供給電圧（v） | 4.5から5.5 |
| バス欠陥の電圧（v） | -58から58 |
| 率に（最高）信号を送る（Mbps） | 5 |
| チタニウムの機能安全部門 | 機能安全可能 |
| 評価 | 自動車 |
| 実用温度範囲（c） | -55から125 |
| 低い電力モード | スタンバイ |
| 共通モード電圧（v） | -30から30 |
| 隔離される | いいえ |
この缶のトランシーバー家族はISO11898-2 （2016年の）高速缶（コントローラー区域ネットワーク）の物理層の標準に合う。すべての装置は缶FDネットワーク2までMbps （毎秒メガビット）の使用のために設計されている。「G」の接尾辞を含んでいる部品番号が付いている装置はデータ転送速度5までMbps、および「V」の版のために持っている入力ピン境界およびRXDの出力レベルを移す入力/出力のレベルのための二次電源の入力を設計されている。この家族は遠隔航跡の要求特徴との低い電力の待機モードがある。さらに、すべての装置は装置およびネットワークの強さを高めるために多くの記憶保護機構を含んでいる。