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力管理ICテキサス・インスツルメント/TI UCC27211DRMT
| ECADモジュール | PCB記号、足跡及び3Dモデル |
| 自由なハロゲン | 迎合的 |
| 推定EOLの日付 | 2031年 |
| 代わりとなる部品 （相互参照） |
NCP5106BDR2G;NCP5106ADR2G;MAX5063AASA+T;MAX5063CASA+; |
| ECCN | EAR99 |
| 序論年紀 | 2011年10月01日 |
| 姓 | UCC27211 |
| 需要と供給の状態 | 限られた |
| 公開市場の擬似脅威 | 40のpct。 |
| 人気 | 媒体 |
| 勝利源の部品番号 | 798690-UCC27211DRMT |
| 土台 | SMD |
| 上昇/落下の時間（タイプ） | 7.2ns、5.5ns |
| 実用温度範囲 | -40°C | 140°C （TJ） |
| パッケージ | 8-VDFNはパッドを露出した |
| 論理の電圧- VIL、VIH | 1.3V、2.7V |
| 作動の供給電圧 | 8ボルト| 17ボルト |
| 製造業者のパッケージ | 8-VSON （4x4） |
| 最高高い側面の電圧- （ブートストラップ） | 120V |
| 現在-ピーク出力（源、流し） | 4A、4A |
| チャネル タイプ | 独立した |
| 包装 | 巻き枠のパッケージ |
| 製造業者 | テキサス・インスツルメント |
| 部門 | 集積回路（IC） |
| ゲートのタイプ | N-Channel MOSFET |
| 運転者の数 | 2 |
| 運転された構成 | 半橋 |
UCC27210およびUCC27211運転者は普及したUCC27200およびUCC27201 MOSFETの運転者に基づいているが、複数の重要な性能の改善を提供する。ピーク出力の懸垂およびプルダウン式の流れは4-A源および4-A流しに高められ、プルアップおよびプルダウン式の抵抗はそれによりMOSFETのミラー プラトーを通した転移の間に最小にされた転換の損失の大きい国のMOSFETsを運転するを可能にする0.9 Ωに、減った。強さを高め、またゲート ドライブ変圧器に改正のダイオードを使用しないで直接インターフェイスを可能にする入力構造は直接– 10 VDCを扱える今。入力はまた供給電圧の独立者で、20-Vの最高の評価がある。
UCC2721xの転換ノード（HSピン）は扱うことができる–高側のチャネルが固有の否定的な電圧から保護されるようにする18ボルトの最高により寄生インダクタンスおよび外部キャパシタンスを引き起こした。UCC27210 （疑似CMOS入力）およびUCC27211 （TTLの入力）は高められたノイズ耐性のアナログかデジタルPWMのコントローラーにインターフェイスのためにヒステリシスを高め割り当てる。
低側および高側のゲートの運転者は互いのturnonと分岐点の間の2 nsに独立制御、一致する。
オン破片120-Vはブートストラップのダイオードを除去する外的な分離したダイオードを評価した。不足電圧閉鎖は対称的なturnonおよび分岐点の行動を提供し、低い出力を強制する高側および低側の運転者両方にドライブ電圧が指定境界の下にあれば提供される。
装置は両方とも8ピンSOIC、PowerPADのSOIC-8 （DDA）、× 4 mm 4 mm SON-8 （DRM）およびSON-10 （DPR）パッケージで（d）提供される。