最新の価格を尋ねる
正会員
4 年
Add to Cart
アンプICはインフィニオン・テクノロジーズIRF5210PBFを欠く
| ECADモジュール | PCB記号、足跡及び3Dモデル |
| 生産国 | 中国、フィリピン |
| 自由なハロゲン | 迎合的 |
| 推定EOLの日付 | 2024年 |
| これは共通使用された部分あるか。 | はい |
| 人気 | 高い |
| 公開市場の擬似脅威 | 42のpct。 |
| 需要と供給の状態 | 十分 |
| 代わりとなる部品 （相互参照） |
IXTT50P10; |
| ECCN | EAR99 |
| 序論年紀 | 04年1月30日 |
| 姓 | IRF5210 |
| 場合/パッケージ | TO-220AB |
| 土台 | 穴を通して |
| 温度較差-作動する | -55°Cへの175°C （TJ） |
| 電力損失（最高） | 200W （Tc） |
| 最高のゲート源の電圧 | ±20V |
| ID、Vgsの最高Rds | 60 mOhm @ 24A、10V |
| 次元 | TO-220-3 |
| ゲート源の境界の電圧 | 4V @ 250μA |
| ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds） | 10V |
| 25°Cの連続的な下水管の流れ | 40A （Tc） |
| 技術 | MOSFET |
| 極性 | P-Channel |
| 状態 | 活動的 |
| 包装 | 管/柵 |
| 製造業者 | インフィニオン・テクノロジーズ |
| 部門 | 分離した半導体製品 |
| 最高の入れられたキャパシタンス | 2700pF @ 25V |
| 最高のゲート充満 | 180nC @ 10V |
| 下水管源の絶縁破壊電圧 | 100V |