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記憶IC破片Vishay IRF830B
ECADモジュール | PCBの足跡か記号を造るか、または要求しなさい |
需要と供給の状態 | バランス |
適用分野 | 力管理で使用される |
公開市場の擬似脅威 | 72のpct。 |
人気 | 高い |
これは共通使用された部分あるか。 | はい |
勝利源の部品番号 | 60117-IRF830B |
次元 | TO-220-3 |
場合/パッケージ | TO-220AB |
土台 | 穴を通して |
温度較差-作動する | -55°Cへの150°C (TJ) |
最高の入れられたキャパシタンス | 325pF @ 100V |
最高のゲート充満 | 20nC @ 10V |
最高のゲート源の電圧 | ±30V |
ドライブ電圧(最高Rds、最低Rds) | 10V |
電力損失(最高) | 104W (Tc) |
ID、Vgsの最高Rds | 1.5オーム@ 2.5A、10V |
技術 | MOSFET |
極性 | N-Channel |
状態 | 活動的 |
包装 | 管/柵 |
製造業者 | Vishay |
部門 | 分離した半導体製品 |
ゲート源の境界の電圧 | 5V @ 250μA |
25°Cの連続的な下水管の流れ | 5.3A (Tc) |
下水管源の絶縁破壊電圧 | 500V |