IRF7815PBF
製品カテゴリー :MOSFET
Vgs (最大) :±20V
電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C :5.1A （Ta）
FETタイプ :Nチャンネル
マウントタイプ :表面マウント
ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs :38nC @ 10V
メーカー :インフィニオン・テクノロジーズ
最小数量 :1
駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン) :10V
動作温度 :-55°C ~ 150°C (TJ)
FET 特徴 :-
シリーズ :HEXFET®
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds :1647pF @ 75V
供給者のデバイスパッケージ :8-SO
パッケージ :トューブ
Rds (最大) @ Id, Vgs :43mOhm @ 3.1A, 10V
電力消耗 (最大) :2.5W （Ta）
パッケージ/ケース :8-SOIC （0.154"、3.90mmの幅）
テクノロジー :MOSFET （金属酸化物）
Vgs(th) (最大) @ Id :5V @ 100µA
源から流出電圧 (Vdss) :150V
記述 :MOSFET N-CH 150V 5.1A 8-SOIC
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