PEMD4115
カテゴリー :離散半導体製品
トランジスタ
双極性 (BJT)
バイポーラトランジスタ配列
電流 - コレクター (Ic) (最大) :100mA
製品の状況 :新しい デザイン の ため の もの で は ない
トランジスタタイプ :1 NPN, 1 PNP - バイアス (ダブル)
頻度 - 移行 :-
マウントタイプ :表面マウント
パッケージ :テープ&ロール (TR)
切断テープ (CT)
Digi-Reel®
シリーズ :-
Vce 飽和度 (最大) @ Ib, Ic :150mV @ 500μA, 10mA
電圧 - コレクターエミッター分解 (最大) :50V
供給者のデバイスパッケージ :SOT-666
抵抗 - ベース (R1) :10kオーム
Mfr :Nexperia USA Inc.
レジスタ - エミッターベース (R2) :-
電流 - コレクターの切断値 (最大) :1µA
パワー - マックス :300mW
パッケージ/ケース :SOT-563,SOT-666
DC電流増幅 (hFE) (分) @ Ic, Vce :200 @ 1mA 5V
基本製品番号 :PEMD4
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バイアス式バイポーラトランジスタ (BJT) 1 NPN,1 PNP - バイアス式バイアス式 (ダブル) 50V 100mA 300mW 表面マウント SOT-666