Shenzhen Century Tongxin Electronics Co., Ltd

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NHUMB11F

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NHUMB11F

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カテゴリー :離散半導体製品 トランジスタ 双極性 (BJT) バイポーラトランジスタ配列
電流 - コレクター (Ic) (最大) :100mA
製品の状況 :アクティブ
トランジスタタイプ :2 PNP - バイアス (ダブル)
頻度 - 移行 :150MHz
マウントタイプ :表面マウント
パッケージ :テープ&ロール (TR) 切断テープ (CT) Digi-Reel®
シリーズ :自動車,AEC-Q101
Vce 飽和度 (最大) @ Ib, Ic :100mV @ 500μA, 10mA
電圧 - コレクターエミッター分解 (最大) :80V
供給者のデバイスパッケージ :6つ目 TSSOP
抵抗 - ベース (R1) :10kオーム
Mfr :Nexperia USA Inc.
レジスタ - エミッターベース (R2) :10kオーム
電流 - コレクターの切断値 (最大) :100nA
パワー - マックス :350mW
パッケージ/ケース :6-TSSOP,SC-88,SOT-363 について
DC電流増幅 (hFE) (分) @ Ic, Vce :50 @ 10mA 5V
基本製品番号 :NHUMB11
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バイアス式バイアス式トランジスタ (BJT) 2 PNP - バイアス式バイアス式 (ダブル) 80V 100mA 150MHz 350mW 表面マウント 6-TSSOP
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