Shenzhen Century Tongxin Electronics Co., Ltd

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EMF5XV6T5

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EMF5XV6T5

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カテゴリー :離散半導体製品 トランジスタ 双極性 (BJT) バイポーラトランジスタ配列
電流 - コレクター (Ic) (最大) :100mA,500mA
製品の状況 :時代遅れ
トランジスタタイプ :1 NPN 偏見がある 1 PNP
頻度 - 移行 :-
マウントタイプ :表面マウント
パッケージ :テープ&ロール (TR)
シリーズ :-
Vce 飽和度 (最大) @ Ib, Ic :250mV @ 300μA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA
電圧 - コレクターエミッター分解 (最大) :50V,12V
供給者のデバイスパッケージ :SOT-563
抵抗 - ベース (R1) :47kOhms
Mfr :一半
レジスタ - エミッターベース (R2) :47kOhms
電流 - コレクターの切断値 (最大) :500nA
パワー - マックス :500mW
パッケージ/ケース :SOT-563,SOT-666
DC電流増幅 (hFE) (分) @ Ic, Vce :80 @ 5mA, 10V / 270 @ 10mA, 2V
基本製品番号 :EMF5XV
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バイアス式バイアス式トランジスタ (BJT) 1 NPN バイアス式バイアス式, 1 PNP 50V, 12V 100mA, 500mA 500mW 表面マウント SOT-563
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