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Shenzhen Century Tongxin Electronics Co., Ltd

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IMD6AT108

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カテゴリー :離散半導体製品トランジスタ双極性 (BJT) バイポーラトランジスタ配列

電流 - コレクター (Ic) (最大) :100mA

製品の状況 :アクティブ

トランジスタタイプ :1 PNP バイアス 1 NPN

頻度 - 移行 :250MHz

マウントタイプ :表面マウント

パッケージ :テープ&ロール (TR)

シリーズ :-

Vce 飽和度 (最大) @ Ib, Ic :300mV @ 250μA, 5mA

電圧 - コレクターエミッター分解 (最大) :50V

供給者のデバイスパッケージ :SMT6

抵抗 - ベース (R1) :4.7kOhms

Mfr :ROHM 半導体

レジスタ - エミッターベース (R2) :-

電流 - コレクターの切断値 (最大) :500nA (ICBO)

パワー - マックス :300mW

パッケージ/ケース :SC-74、SOT-457

DC電流増幅 (hFE) (分) @ Ic, Vce :100 @ 1mA 5V

基本製品番号 :IMD6

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バイアス式バイアス式トランジスタ (BJT) 1 PNPバイアス式バイアス式バイアス式バイアス式バイアス式バイアス式バイアス式バイアス式バイアス式バイアス式バイアス式バイアス式バイアス式バイアス式バイアス式バイアス式バイアス式バイアス式バイアス式バイアス式バイアス式バイアス式バイアス式バイアス式バイアス式バイアス式バイアス式バイアス式バイアス式バイアス式バイアス式バイアス式バイアス式バイアス式バイアス式バイアス式バイアス式バイアス式バイアス式バイアス式バイアス式バイアス式バイアス式バイアス式バイアス式バイアス式バイアス式バイアス式バイアス式バイアス式バイアス式バイアス式バイアス式バイアスマイス式バイアス式バイアス式バイアス式バイアスマイス

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