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Shenzhen Century Tongxin Electronics Co., Ltd

シティ：shenzhen

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HGTG20N60A4D

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ゲート・エミッター漏れ電流 :+/- 250 nA

製品カテゴリー :IGBTトランジスタ

マウントスタイル :穴を抜ける

25°Cの連続電流 :70 A

Pd -電力損失 :290 W

コレクター-エミッター電圧 VCEO マックス :600V

パッケージ/ケース :TO-247-3

最大動作温度 :+150C

ゲートエミッター最大電圧 :+/- 20ボルト

パッケージ :トューブ

設定 :シングル

コレクター・エミッター飽和電圧 :1.8 V

メーカー :フェアチャイルド半導体

記述 :IGBTトランジスタ 600V

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HGTG20N60A4D,フェアチャイルド半導体から,IGBTトランジスタです. 私たちが提供するものは,グローバル市場で競争力のある価格で, オリジナルと新しい部品です.商品についてもっと知りたいか価格を低くしたいかオンラインチャットでご連絡ください!

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