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Shenzhen Century Tongxin Electronics Co., Ltd

シティ：shenzhen

国/地域：china

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RN2111MFV、L3F

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トランジスタの極性 :PNP

製品カテゴリー :双極トランジスタ - バイアス

マウントスタイル :SMD/SMT

Pd -電力損失 :150 MW

コレクター-エミッター電圧 VCEO マックス :- 50V

パッケージ/ケース :SOT-723-3

最大動作温度 :+150C

DC コレクター/ベースゲイン hfe Min :120

パッケージ :リール

設定 :シングル

シリーズ :RN2111

典型的な入力レジスタ :10のkOhms

メーカー :トシバ

連続電流 :- 100mA

記述 :双極トランジスタ - バイアス抵抗器内蔵トランジスタ

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ToshibaのRN2111MFV,L3Fは,双極トランジスタです. 私たちが提供するものは,グローバル市場で競争力のある価格で, オリジナルと新しい部品です.商品についてもっと知りたいか価格を低くしたいかオンラインチャットでご連絡ください!

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RN2111MFV、L3F

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