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Shenzhen Century Tongxin Electronics Co., Ltd

シティ：shenzhen

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IPB80N06S205ATMA1

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製品カテゴリー :MOSFET

Vgs (最大) :±20V

電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C :80A （Tc）

FETタイプ :Nチャンネル

マウントタイプ :表面マウント

ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs :170nC @ 10V

メーカー :インフィニオン・テクノロジーズ

最小数量 :1000

駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン) :10V

動作温度 :-55°C~175°C (TJ)

FET 特徴 :-

シリーズ :OptiMOS™

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds :5110pF @ 25V

供給者のデバイスパッケージ :PG-TO263-3-2

部品の状態 :時代遅れ

パッケージ :テープ&リール (TR)

Rds (最大) @ Id, Vgs :4.8 mOhm @ 80A, 10V

電力消耗 (最大) :300W （Tc）

パッケージ/ケース :TO-263-3,D2Pak (2リード+タブ),TO-263AB

テクノロジー :MOSFET （金属酸化物）

Vgs(th) (最大) @ Id :4V @ 250µA

源から流出電圧 (Vdss) :55V

記述 :MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

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