Shenzhen Century Tongxin Electronics Co., Ltd

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BSP135 E6327

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BSP135 E6327

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製品カテゴリー :MOSFET
Vgs (最大) :±20V
電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C :120mA (Ta)
FETタイプ :Nチャンネル
マウントタイプ :表面マウント
ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs :4.9nC @ 5V
メーカー :インフィニオン・テクノロジーズ
最小数量 :1000
駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン) :0V、10V
動作温度 :-55°C ~ 150°C (TJ)
FET 特徴 :消耗モード
シリーズ :SIPMOS®
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds :146pF @ 25V
供給者のデバイスパッケージ :PG-SOT223-4
パッケージ :テープ&リール (TR)
Rds (最大) @ Id, Vgs :45オム @ 120mA 10V
電力消耗 (最大) :1.8W (Ta)
パッケージ/ケース :TO-261-4, TO-261AA について
テクノロジー :MOSFET (金属酸化物)
Vgs(th) (最大) @ Id :1V @ 94μA
源から流出電圧 (Vdss) :600V
記述 :MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223
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