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シティ：shenzhen

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カテゴリー :離散半導体製品トランジスタ IGBT IGBT モジュール

電流 - コレクター (Ic) (最大) :130 A

製品の状況 :時代遅れ

マウントタイプ :シャーシマウント

パッケージ :散装品

シリーズ :-

パッケージ/ケース :SP3

VCE (オン) (最大) @ VGE, Ic :3.7V @ 15V,100A

電圧 - コレクターエミッター分解 (最大) :1200V

供給者のデバイスパッケージ :SP3

Mfr :マイクロセミ株式会社

動作温度 :-

電流 - コレクターの切断値 (最大) :250 μA

IGBTタイプ :NPT

パワー - マックス :780W

インプット :スタンダード

入力容量 (Cies) @ Vce :6.5 nF @ 25V

構成 :ハーフブリッジ

NTC サーミストール :そうだ

記述 :IGBT モジュール 1200V 130A 780W SP3

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IGBT モジュール NPT ハーフブリッジ 1200 V 130 A 780 W シャーシマウント SP3

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