Shenzhen Century Tongxin Electronics Co., Ltd

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R1RW0416DSB-2PR#D1

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R1RW0416DSB-2PR#D1

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カテゴリー :集積回路 (IC) 記憶力 記憶力
製品の状況 :アクティブ
マウントタイプ :表面マウント
パッケージ :トレー
シリーズ :-
DigiKey プログラム可能 :確認されていない
メモリインターフェース :パラレル
サイクルの時間 - 単語,ページ :12ns
供給者のデバイスパッケージ :44-TSOPII
メモリタイプ :揮発性
Mfr :レネサス・エレクトロニクス・アメリカ・インク
メモリサイズ :4Mbit
電圧 - 供給 :3V~3.6V
アクセス時間 :12ns
パッケージ/ケース :44-TSOP (0.400"、10.16mmの幅)
記憶 の 組織 :256K × 16
動作温度 :-40°C ~ 85°C (TA)
テクノロジー :SRAM
基本製品番号 :R1RW0416
メモリ形式 :SRAM
記述 :IC SRAM 4MBIT パラレル 44TSOP II
ストック :10000
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SRAMメモリIC 4Mbit パラレル 12 ns 44-TSOP II
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