最新の価格を尋ねる
サイト会員
3 年
Add to Cart
|
部門
|
分離した半導体製品
単一トランジスター- FETs、MOSFETs -
|
|
Mfr
|
組み込まれるダイオード
|
|
シリーズ
|
、AEC-Q101自動車
|
|
FETのタイプ
|
N-Channel
|
|
技術
|
MOSFET （金属酸化物）
|
|
流出させなさいに源の電圧（Vdss）
|
30ボルト
|
|
現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C
|
8.6A （Ta）
|
|
ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds）
|
4.5V、10V
|
|
（最高） @ ID、VgsのRds
|
14mOhm @ 9A、10V
|
|
Vgs （（最高） Th） @ ID
|
1.6V @ 250µA
|
|
ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs
|
8.7 NC @ 5ボルト
|
|
Vgs （最高）
|
±25V
|
|
入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds
|
798 pF @ 10ボルト
|
|
FETの特徴
|
-
|
|
電力損失（最高）
|
1.46W （Ta）
|
|
実用温度
|
-55°C | 150°C （TJ）
|
|
タイプの取付け
|
表面の台紙
|
|
製造者装置パッケージ
|
8-SO
|
|
パッケージ/場合
|
8-SOIC （0.154"、3.90mmの幅）
|