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高い明るさ808nmのダイオード レーザー モジュール、106.5μmの60W半導体レーザー モジュール

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高い明るさ808nmのダイオード レーザー モジュール、106.5μmの60W半導体レーザー モジュール

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原産地 :中国
ブランド名 :BWT
型式番号 :K808DN1RN-60.00W
証明 :ISO9001
最低順序量 :1 /関連キーワード
受渡し時間 :4 8weeks
支払の言葉 :T/T
供給の能力 :100,000/Year
製品名 :高い発電レーザー モジュール
出力電力 :60W
波長 :808nm
ファイバー・バンドルの直径 :106.5μm
開口数 :0.22N.A
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 特徴:

808nm波長

出力電力60W

106.5μm繊維の棒径

0.22 N.A。

 

適用:

DPSSポンプ

医学的用途

材料加工

 

 

 

指定(25℃)

 

記号

 

単位

 

K808DN1RN-60.00W
最低 典型的 最高
光学データ CW出力力 Po W 60 - -
中心の波長 λc nm 808±3
分光幅(FWHM) △λ nm   6  
温度の波長の転位 △λ/△T nm/℃ - 0.3 -
流れが付いている波長の転位 △λ/△A nm/A - 1 -
電気データ 電気に光学効率 PE %   42 -
動作電流 lth A - - 5.5
境界の流れ 取り除いて下さい A - 0.85 -
操作電圧 Vop V - 28.4 29
斜面の効率 η W/A - 13 -

繊維データ

 

棒径 Dcore μm - 106.5 -
クラッディングの直径 Dclad μm - 125 -
緩衝直径 Dbuf μm - 250 -
数字開き NA NA - 0.22 -
繊維の長さ Lf m - 2 -
繊維の緩い管の直径 - μm 1mm PTFE 180cm
最低の曲げ半径 - mm 60 - -
繊維の終了 - - - FPT -
フィードバックの分離 背部反射の波長 λ nm 1040-1200
背部反射の分離 - dB - 30 -
サーミスター - Rt (KのΩ)/β (25℃) - 10±3%/3477 -
ESD Vesd V - - 500
保管温度 Tst -20 - 70
鉛のはんだ付けする臨時雇用者 Tls - - 260
鉛のはんだ付けする時間 Tis - - 10
作動の場合温度 15 - 35
相対湿度 RH % 15 - 75
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