K4B4G1646E-BYMAサムスンDDR SDRAMのパッケージFBGA-96 ROHS
1-1473005-1TE ConnectivityAMPコネクタSODIMMDDRSDRAMソケット
1GB DDR SDRAMの記憶IC破片MT29PZZZ8D5WKFMW-18W.6D
MT46V8M16 Original Integrated Circuit Integrated Circuit Chip DOUBLE DATA RATE DDR SDRAM
MT46V8M16TG-6T IT:D TR オリジナル集積回路集積回路チップダブルデータレート DDR SDRAM
MT46V16M16P-75:FミクロンのDRAMチップDDR SDRAM 256Mbit 16Mx16 2.5V 66 Pin TSOPの皿
ATMスペアパーツ NCRメモリ 009-0019311 DIMM, 512 MB, DDR SDRAM, PC2100, CL2.5, 0090019311
ミクロンMT41K256M16TW-107 AIT:Pのフラッシュ・メモリICの破片512Mb DDR3 SDRAM
変化しないサムスンK4A4G165WF-BCTD Sdramのメモリー チップFBGA-96 DDRの範囲
16Mx16は集積回路ICの破片46V16M16 SDRAM - DDRの記憶IC 256Mb --を平行にします
LP2998MA NOPB DDRの終了の調整装置1.35 Vから5.5ボルト
SDRAM - DDRの記憶IC MT46V16M16P-5B:M 256Mbitの平行200のMHz 700 Ps 66-TSOP電子ICの破片
DDR/LPDDR用のメモリIC基板の製造
97-0284
MT46V32M16P-5B:J TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP マイクロンテクノロジー株式会社
H9HCNNNBPUMLHR NMOの同期ダイナミックRAM
現代ドラムDDR3 LPDDR2 LPDDR3 DDR4 PCBのプリント基板2.0mm
スパルタ式3E FPGAの破片XC3S500E-4PQG208I 208PQFPのシステム内プログラム可能なゲート・アレー
EP1C6Q240C8 IC CHIP PROGRAMMER EP1C6Q240C8N FPGAフィールドプログラム可能なゲートアレイ FPGAサイクロンI 598 LABS 185 IOS
