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30P06D TO-252の高い発電のトランジスター、注文の電界効果トランジスタ
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FDA59N30 NPN PNPのトランジスター59A 300V Nチャネル56のMOhmsの高い発電のトランジスター
80W MRF173の高い発電のトランジスター28V高性能の場合211-11のパッケージ
600V 105 MOhm Typ. 26A N Channel Power Mosfet , Single High Power Transistor
100V 33Aの高い発電のトランジスターTO-220-3 IRF540NPBF Nチャネル
2SC2987ケイ素NPN力トランジスター、120W 20Aの高い発電のトランジスター
多機能シリコンカービッド半導体高電源トランジスタ SiC MOS
耐久性シリコンカービッド半導体 多機能高電源トランジスタ
高い発電のトランジスター スイッチ
プロのAUIPS7145RTR 高電力トランジスタ,水平出力トランジスタ
統合されたESDの保護の700-1000MHz LDMOSのFETs RFの高い発電のトランジスター28V 260W
HMC789ST89ETR RF力トランジスター一般目的の頻度700MHz
回路の高圧Npn力トランジスターTIP42C 100V 6A TO220パッケージを転換して下さい
高い発電MOSFET 2N7002T N-Channelの強化モード電界効果トランジスタ60V、115mA、2Ω
BS816A-1 Pチャネル強化モード DMOSトランジスタ 高功率RFトランジスタ