3BHE006412R0101|ABBカード3BHE006412R0101*ONE年WARRANTY*3BHE006412R01013BHE006412R0101
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プラスチックNチャネルBC3400 350mW 5.8Aの低電圧Mosfet
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超高速IGBTのトランジスターNチャネル、ダイオードで造られるを用いる絶縁されたゲートの両極トランジスター
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UCC5350MCDR ICの集積回路SOIC-8はゲートの運転者を隔離した
電子集積回路の破片NPNのトランジスターMOSのダイオードBSZ100N03MSGATMA1の原物
SOT223両極電子受動の部品のトランジスターBCP56-16T1G TRANS NPN 80V 1A
ZXTP19100CGTA PNPのダイオードはモーター ドライブのための両極トランジスターを織込んでいた
2N3792両極トランジスターBJT 80V 10A 5000mW 3 Pin TO-3の皿
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