Shenzhen Koben Electronics Co., Ltd.

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200V 43A 3.8W 300W Mosfet力トランジスターIRFB38N20DPBF N-チャネルSMPS MOSFET

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シティ:shenzhen
省/州:guangdong
国/地域:china
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200V 43A 3.8W 300W Mosfet力トランジスターIRFB38N20DPBF N-チャネルSMPS MOSFET

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型式番号 :IRFB38N20DPBF
原産地 :中国
最低順序量 :20 個入
支払の言葉 :ウェスタン・ユニオン、T/T、Paypal
供給の能力 :5Kpcs
受渡し時間 :2〜3営業日
包装の細部 :1000PCS/Standardパッケージ
FETのタイプ :N チャネル
源の電圧に流出させて下さい :200V
現在-連続的な下水管 :43A
電圧を運転して下さい :10 V
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IRFB38N20DPBF Nチャネル200V 43A 3.8W 300Wを通した穴TO-220AB SMPS MOSFET

適用
l高周波DC-DCのコンバーター
l TO-220は無鉛ようにPbFで利用できます
利点
損失を転換することを減るべきl低いゲートに下水管充満
設計を簡単にする有効なCOSSを含むl十分に特徴付けられたキャパシタンス(SeeApp。AN1001に注意して下さい)
l十分に特徴付けられたなだれの電圧および流れ

FETのタイプ Nチャネル
技術 MOSFET (金属酸化物)
流出させて下さいに源の電圧(Vdss) 200V
現在-連続的な下水管(ID) @ 25°C 43A (Tc)
運転して下さい電圧(最高Rds、分Rdsを) 10V
(最高) @ ID、VgsのRds 54 mOhm @ 26A、10V
Vgs ((最高) Th) @ ID 5V @ 250µA
充満((最高) Qg) @ Vgsをゲートで制御して下さい 91nC @ 10V
Vgs (最高) ±20V
入力キャパシタンス(Ciss) (最高) @ Vds 2900pF @ 25V
FETの特徴 -
電力損失(最高) 3.8W (Ta)、300W (Tc)
実用温度 -55°C | 175°C

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