Shenzhen Koben Electronics Co., Ltd.

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P-CHの集積回路ICの破片SUD50P06-15L-E3 TO252の堀FETシリーズ

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シティ:shenzhen
省/州:guangdong
国/地域:china
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P-CHの集積回路ICの破片SUD50P06-15L-E3 TO252の堀FETシリーズ

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型式番号 :SUD50P06-15L-E3
原産地 :マレーシア
最低順序量 :100個
支払の言葉 :トン/ Tは、ウェスタンユニオン、ペイパル
供給の能力 :1年ごとの100Kpcs
受渡し時間 :1-2 営業日
包装の細部 :テープとリール
商品の状態 :真新しい
部分の状態 :アクティブ
無鉛/Rohs :不平
関数 :電界効果トランジスタ
土台のタイプ :表面実装
パッケージ :TO-252
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SUD50P06-15L-E3集積回路ICの破片MOSFET P-CH 60V 50A TO252 TrenchFETシリーズ

Pチャネル60 V (D-S)、175の°C MOSFET

特徴
1、TrenchFET®力MOSFET
2の175の°Cの接合部温度
3、RoHS指導的な2002/95/ECに迎合的

製造業者Vishay Siliconix
シリーズTrenchFET®
包装 テープ及び巻き枠(TR)
部分の状態活動的
FETのタイプPチャネル
技術MOSFET (金属酸化物)
流出させて下さいに源の電圧(Vdss)60V
現在-連続的な下水管(ID) @ 25°C50A (Tc)
運転して下さい電圧(最高Rds、分Rdsを)4.5V、10V
Vgs ((最高) Th) @ ID3V @ 250µA
充満((最高) Qg) @ Vgsをゲートで制御して下さい165nC @ 10V
Vgs (最高)±20V
入力キャパシタンス(Ciss) (最高) @ Vds4950pF @ 25V
FETの特徴-
電力損失(最高)3W (Ta)、136W (Tc)
(最高) @ ID、VgsのRds15 mOhm @ 17A、10V
実用温度-55°C | 175°C (TJ)
土台のタイプ表面の台紙
製造者装置パッケージTO-252、(D朴)
パッケージ/場合TO-252-3、DPak (2つの鉛+タブ)、SC-63


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