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8 年
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IRFPC60PBF MOSFETのトランジスターNチャネル600V 16A （穴TO-247-3を通したTc） 280W （Tc）
特徴
•動的dV/dtの評価
•評価される反復的ななだれ
•隔離された中央取り付け穴
•速い切換え
•平行になる容易さ
•簡単なドライブ条件
•（Pb）なしの利用できる導いて下さい
記述
Vishayからの第三世代力のMOSFETsは速い切換え、高耐久化された装置設計、低いオン抵抗および費用効果の最もよい組合せをデザイナーに与えます。TO-247パッケージは高い発電のレベルがTO-220装置の使用を排除する商業産業適用のために好まれます。TO-247は類似している隔離された取り付け穴のためにより早いTO-218パッケージへの目上の人でありではない。それはまたほとんどの安全指定の条件を満たすためにピン間のすばらしい表面漏れ間隔を提供します。
| 製造業者 | Vishay Siliconix | |
|---|---|---|
| シリーズ | - | |
| 包装 | 管 | |
| 部分の状態 | 活動的 | |
| FETのタイプ | Nチャネル | |
| 技術 | MOSFET （金属酸化物） | |
| 流出させて下さいに源の電圧（Vdss） | 600V | |
| 現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C | 16A （Tc） | |
| 運転して下さい電圧（最高Rds、分Rdsを） | 10V | |
| Vgs （（最高） Th） @ ID | 4V @ 250µA | |
| 充満（（最高） Qg） @ Vgsをゲートで制御して下さい | 210nC @ 10V | |
| Vgs （最高） | ±20V | |
| 入力キャパシタンス(Ciss) （最高） @ Vds | 3900pF @ 25V | |
| FETの特徴 | - | |
| 電力損失（最高） | 280W （Tc） | |
| （最高） @ ID、VgsのRds | 400 mOhm @ 9.6A、10V | |
| 実用温度 | -55°C | 150°C （TJ） | |
| 土台のタイプ | 穴を通して | |
| 製造者装置パッケージ | TO-247-3 | |
| パッケージ/場合 | TO-247-3 |
| 在庫の他の電子部品のリスト | ||||
| 部品番号 | MFG/BRAND | 部品番号 | MFG/BRAND | |
| 19409-002 | ONSEMI | MAX6351LSUT-T | 格言 | |
| R1211N002B-TR-F | RICOH | KA78M15 | フェアチャイルド | |
| LP61256GS-12 | ELITEMT | CY24745OXC | CYPRESS | |
| KSD880YTU | フェアチャイルド | AT91SAM7SE512-CU | ATMEL/ADESTO | |
| IDT5T93GL-061PFI | IDT | MINISMDC150F/12-2 | TYCO | |
| S2202A | SYNAPTICS | EXC28CH900U | 松下電器産業 | |
| NM-SM50+ | 小型 | ECT315 | ECT | |
| MAX1482CPD | 格言 | 293D106X9016C2TE3 | VISHAY | |
| WRM0204C-47RFI | NA | VK05CFLTR-E | ST | |
| TC74HCT245AF | 東芝 | DS12C887+ | ダラス | |
| LH28F160BJE-BTL90 | 鋭い | BA15218F | ROHM | |
| DS75150M | NS | 24C02C-I/SN | MIC | |
| BCT3661BELT-TR | BROADCHIP | 1812CS-102XJLC | TYCO | |
| TS5A3167DCKR | チタニウム | TLC320AC02CFNR | チタニウム | |
| SSM3K05FU | 東芝 | ATMEGA32L-8AC | ATMEL/ADESTO | |
| PIC16LC773/SS | マイクロチップ | AD807A-155BRRL7 | ADI | |
| AME8815BEC330 | AME | TK6A60W、S4VX | 東芝 | |
| TA8041FG | 東芝 | BGS14AN16 E6327 | INFINEO | |
| MAX233AEWP | 格言 | NTE0305MC | 村田 | |
| ADUC848BCPZ62-5 | ADI | ME6209A36PG | MICRONE | |