Shenzhen Koben Electronics Co., Ltd.

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45ワット12.8V 2の段階パワー アンプのトランジスターRA45H8994M1-101 IECの標準

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シティ:shenzhen
省/州:guangdong
国/地域:china
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45ワット12.8V 2の段階パワー アンプのトランジスターRA45H8994M1-101 IECの標準

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型式番号 :RA45H8994M1-101
原産地 :JP
最低順序量 :1 部分
支払の言葉 :トン/ Tは、ウェスタンユニオン、ペイパル
供給の能力 :1 年ごとの 10000 部分
受渡し時間 :1-2 営業日
包装の細部 :工場標準的なパッキング
条件 :100%の真新しいプロダクト
部分の状態 :アクティブ
パッケージ :H2m
無鉛状態/RoHS の状態 :迎合的
出力パワー :最大45W
電圧 :12.8V
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RA45H8994M1-101 896-941MHz 45W 12.8V、2は移動式ラジオのためのAmp. RFのトランジスターを上演します

記述

RA45H8994M1は- 941 MHz範囲へ… 896で作動する12.8ボルトの移動式ラジオのための45ワットRF MOSFETのアンプ モジュールです。電池は強化モードMOSFETのトランジスターの下水管に直接接続することができます。ゲートの電圧1およびゲートの電圧2 (VGG1=VGG2=0V)なしで、小さい漏出流れだけ下水管に流れ、わずかな出力信号(Pout=45W)は60までdBを減少させます。固定すなわち3.4Vがゲートの電圧1に、供給されるとき、ゲートの電圧2として出力電力および下水管の現在の増加は増加します。ゲートの電圧1が3.4Vで保たれる場合の大幅に出力電力および下水管の現在の増加条件の下の0V (最低)のまわりのゲートの電圧2と。わずかな出力電力はVGG2が4V (典型的な)および5V (最高)であること州で利用できるようになります。この時点で、VGG1は3.4Vで保たれなければなりません。VGG1=3.4V及びVGG2=5Vで、典型的なゲートの流れは0.4mAです。このモジュールは非線形FM調節のために設計されていましたり、また線形調節にゲートの電圧の下水管の静止流れを置き、入力パワーとの出力電力を制御することによって使用するかもしれません。

特徴

1の強化モードMOSFETのトランジスター(IDD≅0 @ VDD=12.8V、VGG1=VGG2=0V)

2、Pout>45W、ηT>33% @VDD=12.8V、VGG1=3.4V、VGG2=5V、Pin=50mW

3の広帯域周波数範囲:896-941MHz•RFの放射の改善を簡単にする金属の帽子の構造

4のローパワー制御現在のIGG1+IGG2=0.4mA (typ) @ VGG1=3.4V、VGG2=5V•モジュールのサイズ:67 x 18 x 9.9 mm

5つの線形操作は静止下水管をゲートの電圧と現在置くことおよび入力パワーとの出力電力を制御することによって可能です。

45ワット12.8V 2の段階パワー アンプのトランジスターRA45H8994M1-101 IECの標準

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