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IRFB5615PBF IRFB5615のN-Channel MOSFET 150V 35A （穴TO-220ABを通したTc） 144W （Tc）
| FETのタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET （金属酸化物） |
| 流出させなさいに源の電圧（Vdss） | 150V |
| 現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C | 35A （Tc） |
| ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds） | 10V |
| （最高） @ ID、VgsのRds | 39mOhm @ 21A、10V |
| Vgs （（最高） Th） @ ID | 5V @ 100µA |
| ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs | 40nC @ 10V |
| Vgs （最高） | ±20V |
| 入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds | 1750pF @ 50V |
| FETの特徴 | - |
| 電力損失（最高） | 144W （Tc） |
| 実用温度 | -55°C | 175°C |
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| SII9025CTU-S2 | SILICON/P | RJ23114B0PB | シャープ | |
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| 7445601 | WURTHELEC | AUO-K1901 | AUO | |
| PIC12C509A-04/SM | マイクロチップ | TSA5518M | 東芝 | |
| LM3243TMX | チタニウム | FQD5N50C | フェアチャイルド | |
| ICS9VRS4420DKILFT | ICS | TMS570SF762BRFPQQ | チタニウム | |
| FD2H001BAR-LF | 感じ | AD9963BCPZ | ADI | |
| AMC6821SQDBQRQ1 | チタニウム | WPCE773LAODG | WINBOND | |
| AD1580BRTZ-REEL7 | ADI | R1EX24512ASASOA | RENESAS | |
| 74LCX126MTCX | FSC | NJM2881F25 | JRC | |
| TC75W57FU | 東芝 | LP2981AIM5X-3.0 | NS | |
| MX7548KN+ | 格言 | UPC1093TA-E1 | NEC | |
| G574 | GMT | S5L2101T | サムスン | |
| EP4CE22F17I7N | ALTERA | MT6268A/B | MTK | |
| K4M28323PH-HG1L | サムスン | 2SB1204 | 鳥取三洋電機 | |
| SI7135DP-T1-GE3 | VISHAY | ML6756B-31GAZ03A-114 | OKI | |
| NE555P | チタニウム | BD6964FVM-TR | ROHM | |
| KFG5616U1M-DIBO | サムスン | CBT6832DG-T | ファイ | |
| HVDA553QDRQ1 | チタニウム | AAT3151IWP-T1 | 類推的 | |
| NTP-3100 | NEOFIDELI | XCS30XL-4TQ144C | XILINX | |