Shenzhen Koben Electronics Co., Ltd.

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SPD06N80C3 NチャネルMOSFET 800V 6A (Ta)の83W (Tc)表面の台紙PG-TO252-3

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シティ:shenzhen
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SPD06N80C3 NチャネルMOSFET 800V 6A (Ta)の83W (Tc)表面の台紙PG-TO252-3

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型式番号 :SPD06N80C3
原産地 :中国
最低順序量 :最も小さい包装は/私達に連絡します
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SPD06N80C3 N-Channel MOSFET 800V 6A (Ta)の83W (Tc)表面の台紙PG-TO252-3

FETのタイプ N-Channel
技術 MOSFET (金属酸化物)
流出させなさいに源の電圧(Vdss) 800V
現在-連続的な下水管(ID) @ 25°C 6A (Ta)
ドライブ電圧(最高Rds、最低Rds) 10V
(最高) @ ID、VgsのRds 900mOhm @ 3.8A、10V
Vgs ((最高) Th) @ ID 3.9V @ 250µA
ゲート充満((最高) Qg) @ Vgs 41nC @ 10V
Vgs (最高) ±20V
入れられたキャパシタンス((最高) Ciss) @ Vds 785pF @ 100V
FETの特徴 -
電力損失(最高) 83W (Tc)
実用温度 -55°C | 150°C (TJ)
タイプの取付け 表面の台紙

 

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