Shenzhen Koben Electronics Co., Ltd.

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NチャネルMOSFETの集積回路ICの破片200V 7.6A 83Wの表面の台紙DPAK FDD10N20LZTM

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Shenzhen Koben Electronics Co., Ltd.
シティ:shenzhen
省/州:guangdong
国/地域:china
連絡窓口:MrZhu
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NチャネルMOSFETの集積回路ICの破片200V 7.6A 83Wの表面の台紙DPAK FDD10N20LZTM

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型式番号 :FDD10N20LZTM
原産地 :中国
最低順序量 :最も小さい包装は/私達に連絡します
支払の言葉 :ウェスタン・ユニオン、T/T、Paypal
供給の能力 :相談
受渡し時間 :2〜3営業日
包装の細部 :2500PCS/Standardパッケージ
FETのタイプ :N チャネル
流出させて下さいに源の電圧(Vdss) :200V
Vgs (最高) :±20V
動作温度 :-55°C | 150°C
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FDD10N20LZTMのN-Channel MOSFET 200V 7.6A 83Wの表面の台紙DPAK

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