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穴の切換えの適用によるSTP65NF06 N-Channel力MOSFET 60V 60A 110W （Tc）
記述
この力MOSFETはSTMicroelectronicsの独特な「単一の形状」の™のストリップ ベースのプロセスの後の開発である。従って生じるトランジスターは低いonresistance、険しいなだれの特徴およびより少なく重大な直線のステップのための非常に高い記録密度を驚くべき製造の再現性示す。
| FETのタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET （金属酸化物） |
| 流出させなさいに源の電圧（Vdss） | 60V |
| 現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C | 60A （Tc） |
| ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds） | 10V |
| （最高） @ ID、VgsのRds | 14mOhm @ 30A、10V |
| Vgs （（最高） Th） @ ID | 4V @ 250µA |
| ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs | 75nC @ 10V |
| Vgs （最高） | ±20V |
| 入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds | 1700pF @ 25V |
| FETの特徴 | - |
| 電力損失（最高） | 110W （Tc） |
| 実用温度 | -55°C | 175°C |
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