Shenzhen Koben Electronics Co., Ltd.

Shenzhen Koben Electronics Co., Ltd.

Manufacturer from China
サイト会員
8 年
ホーム / 製品 / Integrated Circuit IC Chip /

IGBT NPT 600V 11A 63Wの集積回路ICの破片IRGS4B60KD1TRRP IRGS4B60KD1の表面の台紙D2PAK

企業との接触
Shenzhen Koben Electronics Co., Ltd.
シティ:shenzhen
省/州:guangdong
国/地域:china
連絡窓口:MrZhu
企業との接触

IGBT NPT 600V 11A 63Wの集積回路ICの破片IRGS4B60KD1TRRP IRGS4B60KD1の表面の台紙D2PAK

最新の価格を尋ねる
型式番号 :IRGS4B60KD1
原産地 :中国
最低順序量 :20 pcs
支払の言葉 :ウェスタン・ユニオン、T/T、Paypal
供給の能力 :相談
受渡し時間 :2〜3営業日
包装の細部 :800PCS/Standardパッケージ
IGBTのタイプ :NPT
電圧-コレクターのエミッターの故障(最高) :600v
現在-コレクター((最高) IC) :11A
動作温度 :-55°C | 175°C
more
企業との接触

Add to Cart

類似の動画を探す
製品の説明を表示

IRGS4B60KD1TRRP IRGS4B60KD1 IGBT NPT 600V 11A 63Wの表面の台紙D2PAK

特徴

•低いVCEはIGBTの技術によって()非打つ。

•10µs短絡の機能。

•正方形RBSOA。

•肯定的なVCEの()温度係数。

•175°C.で評価される最高の接合部温度。

利点

•運動制御のための基準の効率。

•険しく一時的な性能。

•低いEMI。

•優秀な現在操作を並行して共有する

IGBTのタイプ NPT
電圧-コレクターのエミッターの故障(最高) 600V
現在-コレクター((最高) IC) 11A
現在-脈打つコレクター(Icm) 22A
Vce () (最高) @ Vge、IC 2.5V @ 15V、4A
パワー最高 63W
転換エネルギー 73µJ ()、47µJ ()
入れられたタイプ 標準
ゲート充満 12nC
Td (オン/オフ) @ 25°C 22ns/100ns
テスト条件 400V、4A、100オーム、15V
逆の回復時間(trr) 93ns
実用温度 -55°C | 175°C

 

在庫の他の電子部品のリスト
TK15420MTL TOKO   BQ24741RHDR チタニウム
SI3900DV-T1-E3 VISHAY   30H80028-01M HTC
SCA630-C28H1A VTI   TC55B328J-10 東芝
CD4044BE チタニウム   RF6886 RFMD
TK11248BUCB TOKO   QEPD INTEL
TDA8004T/C1 NXP   PEF82902FV1.1 INFINEON
SMP8654A シグマ   74AHCT1G86DCKRE4 チタニウム
SKY77725-14 SKYWORKS   UPA1709G-E2 NEC
HFCN-1100+ 小型   TLP621 (D4-BL 東芝
CS5381-KSZ 毛状突起   STM32F103S6T6A STM
TPS73615DBVTG4 チタニウム   PEB2025NV1.5 SIEMENS
TLV3402IDR チタニウム   PH28F256L30B85 INTEL
KE4CN2H5A-A58 キングストン   CS5372AISZ CIRRUSLOGIC
OPA2681N チタニウム   M82359G-12 MNDSPEE
ER2004FCT PEC   ADM6713ZAKS-REEL7 ADI
AD5321BRMZ-REEL7 ADI   SN74ALS32N チタニウム
MT48LC16M16A2B4-6A IT:G ミクロン   OPA2735AIDGKR チタニウム
ISO15DWR チタニウム   MT46V32M8P-6TL ミクロン
CD90-V7830-1ETR クアルコム   ADL5367ACPZ ADI
SN74LVCH16374ADLR チタニウム   UB6232QF ENE
お問い合わせカート 0