Shenzhen Koben Electronics Co., Ltd.

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EEPROMの記憶集積回路ICの破片512Kb 64K X 8つのIの² C 1MHz 550ns 8 SOIC AT24C512C-SSHD-T

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シティ:shenzhen
省/州:guangdong
国/地域:china
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EEPROMの記憶集積回路ICの破片512Kb 64K X 8つのIの² C 1MHz 550ns 8 SOIC AT24C512C-SSHD-T

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型式番号 :AT24C512C-SSHD-T
原産地 :中国
最低順序量 :50pcs
支払の言葉 :ウェスタン・ユニオン、T/T、Paypal
供給の能力 :相談
受渡し時間 :2〜3営業日
包装の細部 :4000PCS/Standardパッケージ
記憶タイプ :不揮発性
クロック周波数 :1MHZ
アクセス時間 :550ns
動作温度 :-40°C | 85°C
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AT24C512C-SSHD-T EEPROMの記憶IC 512Kb (64K X 8)私² C 1MHz 550ns 8-SOIC

記述

AT24C512Cは消去可能な連続の524,288ビットを電気で提供する

プログラム可能読み取り専用メモリ(EEPROM)は8ビットの65,536ワードとして組織した

それぞれ。装置のcascadable特徴は8つまでの装置がaを共有するようにする

共通の2ワイヤー バス。装置は多くの産業の使用のためにおよび商業最大限に活用される

どこにローパワーおよび低電圧操作が必要である適用。装置はある

スペース節約の8鉛JEDEC SOICの8鉛EIAJ SOICの8鉛TSSOPで利用できる、

8パッドUDFN、および8ボールVFBGAのパッケージ。さらに、全体の家族は利用できる

1.7V (1.7Vへの3.6V)および2.5V (2.5Vへの5.5V)版

記憶タイプ 不揮発性
記憶フォーマット EEPROM
技術 EEPROM
記憶容量 512Kb (64K X 8)
クロック周波数 1MHz
周期にタイムの単語、ページを書きなさい 5ms
アクセス時間 550ns
記憶インターフェイス Iの² C
電圧-供給 2.5V | 5.5V
実用温度 -40°C | 85°C

 

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