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IRF7413TRPBF F7413のN-Channel MOSFET 30V 13A 2.5Wの表面の台紙
記述
国際的な整流器からの第5世代HEXFETs
達成するのに高度の加工の技巧を利用しなさい
ケイ素区域ごとの極端に低いオン抵抗。この利点、
速い切り替え速度と結合され、高耐久化される
HEXFET力のMOSFETsが健康であること装置設計
のために知られていて、非常に有効のをデザイナーに与える
そしていろいろ適用の使用のための信頼できる装置。
SO-8はカスタマイズされるによって変更された
高められた熱特徴のためのleadframe
それをいろいろな力で理想的にさせる多数ダイスの機能
適用。これらの改善を使って、多数装置
劇的に減らされるを用いる適用で使用することができる
板スペース。パッケージは蒸気段階の間設計されている、
赤外線の、または波のはんだ付けする技術。電力損失
0.8Wより大きいの典型的なPCBの台紙で可能である
適用。
| FETのタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET （金属酸化物） |
| 流出させなさいに源の電圧（Vdss） | 30V |
| 現在-連続的な下水管（ID） | 13A （Ta） |
| ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds） | 4.5V、10V |
| Rdsの（最高） | 11 mOhm @ 7.3A、10V |
| Vgs （（最高） Th） | 3V @ 250µA |
| ゲート充満（（最高） Qg） | 79nC @ 10V |
| Vgs （最高） | ±20V |
| 入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） | 1800pF @ 25V |
| FETの特徴 | - |
| 電力損失（最高） | 2.5W （Ta） |
| 実用温度 | -55°C | 150°C |
| 在庫の他の電子部品のリスト | ||||
| LSP1084D15AG | LITEON | 88E8053-A2-NNC1C000 | MARVELL | |
| 1GWJ43 | 東芝 | PIC18F86K90-I/PT | マイクロチップ | |
| PA1902 | 光線 | AP1086DG-13-89 | ダイオード | |
| MAX211ECAI | 格言 | TC7SH04FE | 東芝 | |
| M25P128-VMF6TPB | ST | HN1K02FU | 東芝 | |
| AM29LV800BT-90EC | AMD | GRM0335C1E100JD01D | 村田 | |
| FMS1004-NS-H | フォーモサ | EDF8132A3PD-GD-F | ELPIDA | |
| B39570X6940N201 | EPCOS | CS1300 | CRESILICON | |
| AT280B-BCZ | CENTRALI | EM639165TS-6IG | ETRONTECH | |
| LM8365BALMFX45/NOPB | チタニウム | XC2V1500-4FGG676C | XILINX | |
| HWY012420PC | NA | MMBTA56 | NXP | |
| BZD17C15P-E3-08 | VISHAY | MAX236EWG | 格言 | |
| APA2066KAI-TRL | ANPEC | TVB170SA | RAYCHE | |
| 74HCT563D | ファイ | MAX999EUK+T | 格言 | |
| CY7C197B-12VC | CY | 74LS151 | MIT/TI | |
| RT8207LGQW | RICHTEK | TLV431CDBVR | チタニウム | |
| RH5RZ50CA-T1 | RICOH | G9191-330T1U | GMT | |
| BCM5464A1KRBG | BROADCOM | BTS7751G | INFINEON | |
| 2N7002PT | NXP | AMC1117-2.5SKFT | AME | |
| MPGC01DN-C123-LF-Z | MPS | TL431N | HTC | |