Shenzhen Koben Electronics Co., Ltd.

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高い入力インピーダンス集積回路ICの破片LF353DR J- FETのアンプ2回路

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シティ:shenzhen
省/州:guangdong
国/地域:china
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高い入力インピーダンス集積回路ICの破片LF353DR J- FETのアンプ2回路

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型式番号 :LF353DR
原産地 :中国
最低順序量 :10pcs
支払の言葉 :ウェスタン・ユニオン、T/T、Paypal
供給の能力 :相談
受渡し時間 :2〜3営業日
包装の細部 :2500PCS/Standardパッケージ
アンプのタイプ :J-FET
利益帯域幅プロダクト :3MHz
電圧-供給は、選抜しましたり/二倍になります(±) :±3.5V | 18V
動作温度 :0°C | 70°C
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LF353DR J-FETのアンプ2回路の内部的に低い入れられた騒音の現在の高い入れられたインピーダンスはオフセットの電圧を整えた

記述

この装置は低価格、高速、非常に低い入力オフセットの電圧のJFET入力演算増幅器である。それ

低い供給の流れをまだ維持している大きい利益帯域幅プロダクトおよび速いスルー・レートを要求する。さらに、

一致させた高圧JFETの入力は非常に低い入力バイアスおよびオフセット流れを提供する。

LF353は高速積分器、デジタル アナログ変換器のような適用で使用することができる

sample-and-hold回路および他の多くの回路。

製品特質

アンプのタイプ J-FET
回路の数 2
出力タイプ -
スルー・レート 13V/µs
利益帯域幅プロダクト 3MHz
現在-入れられたバイアス 50pA
電圧-入れられたオフセット 5mV
現在-供給 3.6mA
電圧-単一/二重供給(±) ±3.5V | 18V
実用温度 0°C | 70°C
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