Shenzhen Koben Electronics Co., Ltd.

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200V 43A 3.8W 300W Mosfet力トランジスターIRFB38N20DPBF N-チャネルSMPS MOSFET

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シティ:shenzhen
省/州:guangdong
国/地域:china
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200V 43A 3.8W 300W Mosfet力トランジスターIRFB38N20DPBF N-チャネルSMPS MOSFET

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型式番号 :IRFB38N20DPBF
原産地 :中国
最低順序量 :20 個入
支払の言葉 :ウェスタン・ユニオン、T/T、Paypal
供給の能力 :5Kpcs
受渡し時間 :2〜3営業日
包装の細部 :1000PCS/Standardパッケージ
FETのタイプ :N チャネル
源の電圧に流出させて下さい :200V
現在-連続的な下水管 :43A
電圧を運転して下さい :10 V
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IRFB38N20DPBFのN-Channel 200V 43A 3.8W 300Wを通した穴TO-220AB SMPS MOSFET

適用
l高周波DC-DCのコンバーター
l TO-220は無鉛ようにPbFで利用できる
利点
損失を転換することを減るべきl低いゲートに下水管充満
lは十分に設計を簡単にするために有効なCOSSを含むキャパシタンスを特徴付けた(SeeApp。ノートAN1001)
lは十分になだれの電圧および流れを特徴付けた

 

FETのタイプ N-Channel  
技術 MOSFET (金属酸化物)  
流出させなさいに源の電圧(Vdss) 200V  
現在-連続的な下水管(ID) @ 25°C 43A (Tc)  
ドライブ電圧(最高Rds、最低Rds) 10V  
(最高) @ ID、VgsのRds 54 mOhm @ 26A、10V  
Vgs ((最高) Th) @ ID 5V @ 250µA  
ゲート充満((最高) Qg) @ Vgs 91nC @ 10V  
Vgs (最高) ±20V  
入れられたキャパシタンス((最高) Ciss) @ Vds 2900pF @ 25V  
FETの特徴 -  
電力損失(最高) 3.8W (Ta)、300W (Tc)  
実用温度 -55°C | 175°C

 

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