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IRFB38N20DPBFのN-Channel 200V 43A 3.8W 300Wを通した穴TO-220AB SMPS MOSFET
適用 |
l高周波DC-DCのコンバーター
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l TO-220は無鉛ようにPbFで利用できる
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利点 |
損失を転換することを減るべきl低いゲートに下水管充満
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lは十分に設計を簡単にするために有効なCOSSを含むキャパシタンスを特徴付けた(SeeApp。ノートAN1001)
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lは十分になだれの電圧および流れを特徴付けた
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FETのタイプ | N-Channel | |
---|---|---|
技術 | MOSFET (金属酸化物) | |
流出させなさいに源の電圧(Vdss) | 200V | |
現在-連続的な下水管(ID) @ 25°C | 43A (Tc) | |
ドライブ電圧(最高Rds、最低Rds) | 10V | |
(最高) @ ID、VgsのRds | 54 mOhm @ 26A、10V | |
Vgs ((最高) Th) @ ID | 5V @ 250µA | |
ゲート充満((最高) Qg) @ Vgs | 91nC @ 10V | |
Vgs (最高) | ±20V | |
入れられたキャパシタンス((最高) Ciss) @ Vds | 2900pF @ 25V | |
FETの特徴 | - | |
電力損失(最高) | 3.8W (Ta)、300W (Tc) | |
実用温度 | -55°C | 175°C |
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