Shenzhen Koben Electronics Co., Ltd.

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AOD522P D522P 30V 17Aの集積回路ICの破片N - SINGEL MOSFET TO252を運んで下さい

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Shenzhen Koben Electronics Co., Ltd.
シティ:shenzhen
省/州:guangdong
国/地域:china
連絡窓口:MrZhu
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AOD522P D522P 30V 17Aの集積回路ICの破片N - SINGEL MOSFET TO252を運んで下さい

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型式番号 :AOD522P
原産地 :CN
最低順序量 :20ピース
支払の言葉 :T/T のウェスタン・ユニオン/paypal
供給の能力 :2000個
受渡し時間 :2〜3営業日
包装の細部 :リール
タイプ :電界効果トランジスタ
FETのタイプ :N チャネル
土台のタイプ :表面実装
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AOD522P D522P 30V 17AのN-channel SINGEL MOSFET TO252の表面の台紙

AOD522P D522P 30V 17Aの集積回路ICの破片N - SINGEL MOSFET TO252を運んで下さいAOD522P D522P 30V 17Aの集積回路ICの破片N - SINGEL MOSFET TO252を運んで下さい

 

FETのタイプ N-Channel  
技術 MOSFET (金属酸化物)  
流出させなさいに源の電圧(Vdss) 30V  
現在-連続的な下水管(ID) @ 25°C 17A (Ta)、46A (Tc)  
ドライブ電圧(最高Rds、最低Rds) 4.5V、10V  
(最高) @ ID、VgsのRds 5.2 mOhm @ 20A、10V  
Vgs ((最高) Th) @ ID 2.4V @ 250µA  
ゲート充満((最高) Qg) @ Vgs 18nC @ 10V  
Vgs (最高) ±20V  
入れられたキャパシタンス((最高) Ciss) @ Vds 1500pF @ 15V  
FETの特徴 -  
電力損失(最高) 2.5W (Ta)、53W (Tc)  
実用温度 -55°C | 175°C (TJ)  
タイプの取付け 表面の台紙  
製造者装置パッケージ TO-252、(D朴)  
パッケージ/場合 TO-252-3、DPak (2つの鉛+タブ)、SC-63

 

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部品番号 MFG/BRAND   部品番号 MFG/BRAND
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