Shenzhen Koben Electronics Co., Ltd.

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AT45DB021E-SHN-T 2Mbitプログラム可能なICの破片1.65Vの最低SPIの連続フラッシュ・メモリの破片

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シティ:shenzhen
省/州:guangdong
国/地域:china
連絡窓口:MrZhu
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AT45DB021E-SHN-T 2Mbitプログラム可能なICの破片1.65Vの最低SPIの連続フラッシュ・メモリの破片

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型式番号 :AT45DB021E-SHN-T
原産地 :CN
最低順序量 :100個
支払の言葉 :トン/ Tは、ウェスタンユニオン、ペイパル
供給の能力 :1年ごとの10Kpcs
受渡し時間 :1-2 営業日
包装の細部 :テープとリール
商品は調節する :真新しい
部分の状態 :活動的
無鉛/Rohs :不平
機能 :抜け目がない
タイプの取付け :SMD
パッケージ :SOP8
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AT45DB021E-SHN-T 2Mbit DataFlash (余分64-Kbitsと)、1.65V最低SPIの連続フラッシュ・メモリIC
 
記述
 
Adesto® AT45DB021Eは順次アクセスフラッシュ・メモリがいろいろデジタル音声に理想的に適する1.65V最低、連続インターフェイス、イメージ、プログラム コードおよびデータ記憶の適用である。AT45DB021Eはまた非常に高速操作を要求する適用のための急流のシリアル・インタフェースを支える。記憶のその2,162,688ビットは256バイトまたは264バイトそれぞれの1,024ページとして組織される。主記憶操置に加えて、AT45DB021Eはまたバイト256/264のの1つのSRAMの緩衝を含んでいる。緩衝は付加的なシステム傷の記憶として使用しE2 PROMの模範化ははめ込み式スリー ステップと(ビットまたはバイトのalterability)読書変更書く操作を容易に扱うことができる。複数アドレスラインおよびパラレル インターフェイスと任意にアクセスされる慣習的なフラッシュ・メモリとは違って、Adesto DataFlash®はデータをシーケンシャル アクセスのにシリアル・インタフェースを使用する。簡単な順次アクセスは劇的に活動的なピン・カウントを減らし、簡単だったハードウェア レイアウトを促進し、装置の信頼度を高め、転換の騒音を最小にし、そしてパッケージのサイズを減らす。装置は多くの商業および産業適用の使用のために、低電圧低ピン計算高密度ところで最大限に活用されローパワー必要でであって下さい。簡単な内部システム再プログラム可能性を可能にするためには、AT45DB021Eはプログラミングのために高い入力電圧が要求しない。装置は単一1.65Vから消去およびプログラムのための3.6V電源に作動し、読込み操作を。AT45DB021Eは破片選り抜きピン(CS)を通して可能になり、連続入力(SI)、連続出力(そう)、および連続時計(SCK)から成っている3-wireインターフェイスによってアクセスされる。すべてのプログラミングおよび消去周期は自己時限である。
 

製造業者Adestoの技術 
シリーズ- 
包装 テープ及び巻き枠(TR)  
部分の状態活動的 
記憶タイプ不揮発性 
記憶フォーマットフラッシュ 
技術フラッシュ 
記憶容量2Mb (264バイトX 1024ページ) 
クロック周波数70MHz 
周期にタイムの単語、ページを書きなさい8µs、3ms 
記憶インターフェイスSPI 
電圧-供給1.65 V | 3.6ボルト 
実用温度-40°C | 85°C (TC) 
タイプの取付け表面の台紙 
パッケージ/場合8-SOIC (0.209"、5.30mmの幅) 
製造者装置パッケージ8-SOIC

 

在庫の他の電子部品のリスト
部品番号MFG/BRAND 部品番号MFG/BRAND
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FP103DR-LF感じ MMBTA42 1DLRC
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AAT1276IRN-5.0-T1SKYWORKS TPS65148RHBRチタニウム
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65PQ015IR DM74LS138MFSC
MIC2177YWMMICREL BFG425WNXP
74ACTQ08SCフェアチャイルド 88E1111-B2-BAB-C000MARVELL
IPD50N04S3-09INFINEON TT8312RET&T
UPC2709TB-E3NEC SN75518Nチタニウム
SP6682EU-LSIPEX/EXA S1D15206F11A200EPSON
M74VHC1G126DTT1G AM79C973BVC/WAMD
LQG15HS15NJ02D村田 ACPM-5802-TR1AVAGO





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