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Shenzhen Koben Electronics Co., Ltd.
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Mosfet Power Transistor
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50V 350mA 18 W Mosfet力トランジスターLDMOS MRF6V3090NBR1 22dB
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集積回路ICの破片
[1016]
プログラム可能な IC の破片
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[26]
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[14]
表面の台紙の発振器
[16]
ロッカー スイッチ部品
[6]
高出力 led チップ
[6]
金属酸化物バリスター
[4]
企業との接触
Shenzhen Koben Electronics Co., Ltd.
シティ：
shenzhen
省/州：
guangdong
国/地域：
china
連絡窓口：
MrZhu
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企業との接触
50V 350mA 18 W Mosfet力トランジスターLDMOS MRF6V3090NBR1 22dB
製品の詳細
MRF6V3090NBR1 RF Mosfet LDMOS 50V 350mA 860MHz 22dB 18W TO-272 WB-4 470からの1215のMHzに頻度の放送そして商業宇宙航空広帯域適用のために設計されている。 特徴 1、10:1 VSWRのすべての位相角を、@ 50 Vdc扱うこ...
製品詳細図 →
商品のタグ：
2sa1535 pnp パワートランジスタ
in5408 ダイオード等価
in4007 直線ダイオード
