Shenzhen Koben Electronics Co., Ltd.

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高性能IGBT力モジュール2270W 1mA半分橋構成

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シティ:shenzhen
省/州:guangdong
国/地域:china
連絡窓口:MrZhu
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高性能IGBT力モジュール2270W 1mA半分橋構成

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最低順序量 :1 部分
支払の言葉 :T ・ T、ウェスタンユニオン、Paypal
供給の能力 :1 年ごとの 1000 部分
受渡し時間 :1〜3営業日
包装の細部 :標準的な工場パッキング
部分の状態 :活動的
現在-コレクター(IC) :300A
現在-コレクターの締切り :1mA
製造者装置パッケージ :モジュール
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部分の状態 活動的  
IGBTのタイプ -  
構成 半分橋  
電圧-コレクターのエミッターの故障(最高) 1200V  
現在-コレクター((最高) IC) 300A  
パワー最高 2270W  
Vce () (最高) @ Vge、IC 2.25V @ 15V、300A  
現在-コレクターの締切り(最高) 1mA  
入れられたキャパシタンス(Cies) @ Vce 30nF @ 10V  
入力 標準  
NTCのサーミスター いいえ  
実用温度 -40°C | 150°C (TJ)  
タイプの取付け シャーシの台紙  
パッケージ/場合 モジュール  
製造者装置パッケージ モジュール
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