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Bomkey ( HK ) Electronic Co.,Limited

国/地域：china

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DRA2123Y0L

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カテゴリー :離散半導体製品トランジスタ双極性 (BJT) 単一のバイアスバイアスバイアストランジスタ

電流 - コレクター (Ic) (最大) :100MA

製品の状況 :Digi-Keyで発売中止

トランジスタタイプ :PNP - 偏見がある

マウントタイプ :表面マウント

パッケージ :テープ&ロール (TR) 切断テープ (CT) Digi-Reel®

シリーズ :-

Vce 飽和度 (最大) @ Ib, Ic :250mV @ 500μA, 10mA

電圧 - コレクターエミッター分解 (最大) :50V

供給者のデバイスパッケージ :Mini3-G3-B

抵抗 - ベース (R1) :2.2のkOhms

Mfr :パナソニック電子部品

レジスタ - エミッターベース (R2) :10のkOhms

電流 - コレクターの切断値 (最大) :500nA

パワー - マックス :200mW

パッケージ/ケース :TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

DC電流増幅 (hFE) (分) @ Ic, Vce :30 @ 5mA, 10V

基本製品番号 :DRA2123

説明 :TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3

ストック :ストック

輸送方法 :LCL,AIR,FCL,エクスプレス

支払条件 :L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタンユニオン、マネーグラム

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プレバイアス型バイポーラトランジスタ (BJT) PNP - プレバイアス型50 V 100 mA 200 mW 表面マウント MINI3-G3-B

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DRA2123Y0L

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