Aolittel Technology Co.,Ltd

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高いサージの高圧陶磁器の一時的な電圧サプレッサー3225のMLVの破片の多層バリスターMVR1210-431G 1210 431V

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シティ:dongguan
省/州:guangdong
国/地域:china
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高いサージの高圧陶磁器の一時的な電圧サプレッサー3225のMLVの破片の多層バリスターMVR1210-431G 1210 431V

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型式番号 :MVR1210-431G
原産地 :中国
最低順序量 :1 つの巻き枠
支払の言葉 :トン/ Tは、ウェスタンユニオン
供給の能力 :1か月あたり100,000 PCSの
受渡し時間 :2週間
包装の細部 :巻き枠のテープ
バリスターのタイプ :SMDの金属酸化物バリスター
Vrms :275V
VDC :350V
ヴァリストールの電圧 :430の(387-473)ボルト
典型的な容量 :100 pF
許容性 :±30%
最高の締め金で止める電圧 :710V
ピーク電流 :250A
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高電圧高電圧セラミック 臨時電圧抑制機 3225 MLV チップ 多層ワリスター MVR1210-431G 1210 431V

記述

マルチレイヤーのチップワリスター (MLV) は,高度なマルチレイヤーの形成技術によってセミコンダクトセラミックから製造されたトランジエント・電圧抑制器 (TVS) である.頑丈な保護を提供できる装置は鉛のないチップ形式で,鉛誘導性を排除し,応答時間が0未満のより速い速度を保証します.5nsESD パルスや他の特殊な一時的な出来事に対する信頼性の高い保護を保証する.これらの臨時抑制装置は,従来のゼナーダイオードや放射線MOVよりもはるかに小さな足跡と低いプロファイルです.

サイズ 適用する スタンダード エネルギーレベル
1206, 1210, 1812, 2220, 3220 自動車 AEC-Q200 負荷ダンプ: 1.5 - 50 J (10 回)
1206, 1210, 1812, 2220 産業管理 IEC61000-4-5 突発電流: 3000A (8/20 μs)
1210, 1812, 2220, 3220 照明 と 電力 供給 IEC61000-4-5 障害電圧: 470V / 電圧: 800A

高いサージの高圧陶磁器の一時的な電圧サプレッサー3225のMLVの破片の多層バリスターMVR1210-431G 1210 431V

サイズ (mm)

高いサージの高圧陶磁器の一時的な電圧サプレッサー3225のMLVの破片の多層バリスターMVR1210-431G 1210 431V

タイプ 長さ (L) 幅 (W) 高さ (H) 解約 (L1)
1210 3.20±020 2.50±020 1.40 (最大) 0.40±020

電気性能

部分
番号
作業
分割
固定
ピーク電流
電圧
電圧
電圧
AC
DC
@ 1mA DC
8/20uS
8/20uS (A) Ip (MAX)
VAC
VDC
VB
VC
0603
0805
1206
1210
1812
2220
3220
MVR1210-3R0G
1.4
2
3
2.4 ¥36
9
20
MVR1210-5R0G
2.4
3.3
5
4.0 〇 60
12
20
60
80
MVR1210-8R0G
4
5.5
8
7.0 ¥105
14
20
60
80
250
400
MVR1210-120G
7
9
12
10・14
24
20
60
80
250
400
800
MVR1210-180G
11
14
18
15.5 ̇21
30
20
80
100
250
400
800
500
MVR1210-240G
14
18
24
22〜27
38
20
80
100
250
500
1200
500
MVR1210-270G
17
22
27
24・30
42
20
80
100
250
500
1200
500
MVR1210-330G
20
26
33
29 円36
54
20
80
100
250
500
1200
500
MVR1210-390G
24
30
39
35・42
65
20
80
100
250
500
1200
500
MVR1210-470G
28
36
47
42・52
77
20
80
100
250
500
1200
500
MVR1210-560G
35
45
56
50・62
90
80
100
250
500
1200
500
MVR1210-680G
40
56
68
60・75
110
100
250
500
1200
500
MVR1210-820G
50
65
82
73・91
135
80
200
300
800
500
MVR1210-101G
60
85
100
90~110
165
80
200
300
800
500
MVR1210-121G
75
100
120
108 円 132
200
200
300
500
500
MVR1210-151G
95
125
150
135~165
250
300
500
500
MVR1210-181G
115
150
180
162・198
300
500
500
MVR1210-201G
130
170
205
184 円 226
340
500
MVR1210-221G
140
180
220
198 〜 242
360
500
MVR1210-241G
150
200
240
216~264
395
500
MVR1210-271G
175
225
270
243・297
455
500
MVR1210-361G
230
300
360
324~396
595
500
MVR1210-391G
250
320
390
351・429
650
500
MVR1210-431G
275
350
430
387 円 473
710
400
MVR1210-471G
300
385
470
423 円517
775
400

特徴 と 利点

• 0402 から 3220 シリーズ の 全範囲

• 両方向の固定,高エネルギー

• ESD 保護に適しています

• 低容量設計 (2.5pf) 急速なデータ転送

• 配列型設計

• 非常低流出電流

• 溶接しやすさ

• 表面マウントの形状因数

■ 作業環境温度:

• 応答 時間 が 短く

• AEC-Q200 グレードが利用可能

動作電圧 (最大300VAC/385VDC)

• 狭い 足跡

• 高電圧や電流の急増に耐える能力

• 低収縮電圧

• 低流出電流

申請

• 自動車用電子機器

• 電気通信インフラ

• I/O ポートとコントローラ

• LED照明 バラスト

• 医療用 器具

• 産業および商業用電力システムの保護

• ESD保護 • 負荷放出およびジャンプスタート保護

• 超電圧保護

• 産業用 機器

● 電力 供給 器

• 基地局

製品チェックリスト

• 保護すべきシステムの稼働電圧は?

• 保護 システム が 耐えられる 最大 の 臨時 電圧 は 何 です か

● システム に 与える 超電圧 は 何 です か.波 の 形状.波幅.波長.波長.波長 は 繰り返す こと が でき ます か.電源 は どれ ほど 消耗 する でしょ う か.

• ご希望のアプリケーションの運用条件は? 仕様書がありますか?

• アプリケーションには サイズ制限がありますか?

高いサージの高圧陶磁器の一時的な電圧サプレッサー3225のMLVの破片の多層バリスターMVR1210-431G 1210 431V

高いサージの高圧陶磁器の一時的な電圧サプレッサー3225のMLVの破片の多層バリスターMVR1210-431G 1210 431V

設計 者 の 情報

電路内設計のためのTVSを選択する際には,電路条件を満たすためにいくつかの特徴パラメータを慎重に考慮する必要があります.以下のガイドラインが推奨されます.

1選択されたTVSの電圧上昇処理能力は,保護回路の予期される一時的な電圧上昇電流を消去する必要性を満たすべきである.

2選択されたTVSのクランプ電圧は,保護回路の最大許容電圧よりも低くなければならない.

3高速データ送信の場合,選択したTVSの容量も考慮する必要があります.

4ESD防止などのTVSの容量に関する特別な要求は,ご連絡ください.

5TVSを選択する際には,TVSの動作電圧は回路の通常の動作電圧よりも大きいか同等である必要があります.

高いサージの高圧陶磁器の一時的な電圧サプレッサー3225のMLVの破片の多層バリスターMVR1210-431G 1210 431V

6保護原理:電圧がバリストールの限界を超えると,圧縮器は急激に増加する電流を吸います.過電圧はかなり弱まります.

高いサージの高圧陶磁器の一時的な電圧サプレッサー3225のMLVの破片の多層バリスターMVR1210-431G 1210 431V

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