カテゴリー :離散半導体製品
トランジスタ
FET,MOSFET
シングルFET,MOSFET
FETの特徴 :-
Vgs(th) (最大) @ Id :4V @ 1mA
動作温度 :-55°C~175°C (TJ)
パッケージ/ケース :SOT-1210、8-LFPAK33 (5鉛)
ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs :10.9 nC @ 10V
Rdsオン (最大) @ Id, Vgs :33mOhm @ 5A, 10V
FETタイプ :Nチャンネル
駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン) :10V
パッケージ :テープ&ロール (TR)
切断テープ (CT)
Digi-Reel®
流出電圧から源電圧 (Vdss) :60V
Vgs (最大) :±20V
製品の状況 :アクティブ
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds :628 pF @ 25 V
マウントタイプ :表面マウント
シリーズ :自動車,AEC-Q101
供給者のデバイスパッケージ :LFPAK33
Mfr :Nexperia USA Inc.
電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C :24A (Tc)
電力損失(最高) :44W (Tc)
テクノロジー :MOSFET (金属酸化物)
基本製品番号 :BUK7M33
記述 :MOSFET N-CH 60V 24A LFPAK33
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