カテゴリー :離散半導体製品
トランジスタ
FET,MOSFET
シングルFET,MOSFET
FETの特徴 :-
Vgs(th) (最大) @ Id :2.5V @ 250µA
動作温度 :-55°C ~ 150°C (TJ)
パッケージ/ケース :TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs :6nC @ 10V
Rdsオン (最大) @ Id, Vgs :240mOhm @ 1.3A, 10V
FETタイプ :P-Channel
駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン) :4.5V,10V
パッケージ :テープ&ロール (TR)
切断テープ (CT)
Digi-Reel®
流出電圧から源電圧 (Vdss) :40V
Vgs (最大) :±20V
製品の状況 :アクティブ
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds :450 pF @ 20 V
マウントタイプ :表面マウント
シリーズ :自動車,AEC-Q100
供給者のデバイスパッケージ :TO-236AB
Mfr :Nexperia USA Inc.
電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C :1.5A (Ta)
電力損失(最高) :480mW (Ta)、6.25W (Tc)
テクノロジー :MOSFET (金属酸化物)
基本製品番号 :PMV250
記述 :MOSFET P-CH 40V 1.5A TO236AB
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