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IPP65R190CFD

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IPP65R190CFD

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トランジスター極性 :Nチャンネル
テクノロジー :Si
製品カテゴリー :MOSFET
マウントスタイル :穴を抜ける
商号 :CoolMOS
パッケージ/ケース :TO-220-3
Vds -下水管源の絶縁破壊電圧 :650ボルト
パッケージ :トューブ
VgsのTh -ゲート源の境界の電圧 :4V
ID -連続的な下水管の流れ :17.5のA
Rdsのオン下水管源の抵抗 :190mOhms
チャンネル数 :1 チャンネル
Vgs -ゲート源の電圧 :30V
Qg -ゲート充満 :68 NC
製造者 :インフィニオン・テクノロジーズ
記述 :MOSFET N-Ch 650V 17.5A TO220-3 クールモス CFD2
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